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硅基半导体成像检测 短波红外相机非常适合于对半导体晶片以及集成电路芯片的晶圆进行故障检测，由于分子的带隙，其对低能量的短波红外波长光子不吸收（任何单位或个人在使用本文图片时，须书面征得本公司许可）。
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应用行业
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晶圆对准和集成电路故障分析
穿透硅片 （图片来源于国惠光电） 短波红外相机可应用于纯半导体晶圆的外延生长质量检测；晶棒切片的内部缺陷和裂纹检查。现代集成电路中，晶圆被处理成连续的多层以制造晶体管和内存单元，短波红外相机可用来检查层与层之间的对齐情况。晶圆缺陷检测阶段可以利用短波红外线阵相机进行扫描，从而得到高分辨率的扫描图像。 |
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半导体检测
半导体检测 （图片来源于国惠光电） 利用短波红外光可以穿透半导体材料的特性，通过短波红外相机探测半导体材料内部的缺陷特征、键合情况或电致发光情况以及其他相关探测应用。因此，短波红外成像非常适合在半导体制造过程中的故障分析和质量保证任务。 |
太阳能电池板检测
硅在短波红外波段是透明的，波长为1050 nm的红外光可以穿透200 μm厚的硅锭，而波长为1300 ~ 1500 nm的红外光可以穿透任意厚度的硅锭。短波红外相机可以应用于硅锭探伤、硅片探伤。随着硅锭切割工艺的优化升级，硅片将越来越薄，其对于内部探伤的需求也将更为迫切。
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减少对线锯的损耗，降低成本。线锯的价格都非常昂贵，在加工中，如果硅锭中存在孔洞，会使线锯的应力产生突变，引起线锯振动，加剧线锯的损耗，严重时会造成线锯的损毁；若硅锭中有杂质，也会使线锯的损耗加大。通过短波红外探伤，可以降低线锯的损耗，进而达到降低成本的目的。 |
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提升硅片产品质量。在把硅锭切割成硅片的过程中，如硅锭中有杂质，则切割出来的硅片会产生线痕，这样的硅片是比较容易碎裂的。此外硅锭中的杂质容易附着在切割器械上，若用这样的切割器械进行加工，会造成更多硅片的线痕，严重降低产品的质量，使得生产成本大幅度地提高。 |
（左）可见光成像（右）短波红外相机成像-黑色为损坏区
（图片来源于网络）
除了发现硅锭、硅片的物理缺陷，短波红外相机还可以对太阳能电池的缺陷和故障进行检查，而该缺陷和故障无法通过其他方法进行探测和可视化。
