InGaAs APD SENSORS 主要特点
▶ 具有线性和盖革两种工作模式
▶ 优化盖革模式，具有单光子探测能力
▶ TO8带TEC封装，最高可以封装三级TEC
▶ TO46带光纤封装（不带TEC）
InGaAs APD SENSORS 主要特点
▶ 具有线性和盖革两种工作模式
▶ 优化盖革模式，具有单光子探测能力
▶ TO8带TEC封装，最高可以封装三级TEC
▶ TO46带光纤封装（不带TEC）
| 特性参数 | 符号 | 测试条件 | 范围 | 典型值 | 单位 |
| 光谱响应范围 | λ | 900 ~ 1700 | 1550 | nm | |
| 反向击穿电压 | Vb | T=22±1℃ , ID=10μ , Ψe=0 | -40 ~ -90 | -60 | V |
| 击穿电压温度系数 | δ | T=-40~30℃ , Ψe=0 | 0.1 ~ 0.15 | 0.12 | V / k |
| 响应率 | R | T=22±1℃ ， VDC=Vb-2V ， λ=1550nm | 5 ~ 10 | 8 | A / M |
| 暗电流 | ID | T=22±1℃ , VDC=Vb-2V , Ψe=0 | 0.1 ~ 1 | 0.3 | nA |
| 增益 | M | 盖革区 | 104 ~ 106 | 105 | |
| 单光子探测率 | PDE | T=-40±1℃ , λ=1550nm | ＞20 | 20 | % |
| 暗计数率 | DCR | T=-40±1℃ , PDE=20% | ＜10 | 5 | kHz |
| *注：T测试温度，VDC测试电压，Ψe输入光功率 | |||||
| 反向工作电流 | 正向工作电流 | 工作温度 | 储存温度 |
| 1mA | 1mA | -40 ℃ ~ +30 ℃ | -55 ℃ ~ +80 ℃ |
请致电0351-7195681 或 联系业务员获取
